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發(fā)表日期:2015-05-26 文章編輯:管理員 閱讀次數(shù):
基于PCle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)家族延續(xù)了行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者英特爾所一貫具備的優(yōu)勢(shì),提供了突破性的性能,旨在幫助數(shù)據(jù)中心全面完成現(xiàn)代化轉(zhuǎn)型。
突破的性能
基于PCle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)可直接為英特爾至強(qiáng)處理器帶來(lái)極致數(shù)據(jù)吞吐率,速度最高可達(dá)6Gbps SAS/SATA固態(tài)盤(pán)的6倍?;赑Cle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)家族具備多達(dá)2.8GB/秒和460K IOPS的數(shù)據(jù)讀取性能,以及多達(dá)2.0GB/秒和175K IOPS的數(shù)據(jù)寫(xiě)入性能。
基于PCle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)家族具備及其卓越的性能,只需一塊硬盤(pán)便能夠取代七塊通過(guò)HBA聚合在一起的SATA固態(tài)盤(pán),其中尤以英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)P3700的性能最為出色。
基于PCle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)家族具備可靠一致的卓越性能,能夠直接為英特爾至強(qiáng)處理器提供快速、穩(wěn)定的數(shù)據(jù)流,可顯著提高服務(wù)器數(shù)據(jù)傳輸速度。
實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心儲(chǔ)存的現(xiàn)代化轉(zhuǎn)型
英特爾在業(yè)界率先推出了全新的NVMe*儲(chǔ)存接口標(biāo)準(zhǔn)。NVMe*專為當(dāng)前和未來(lái)的非易失性儲(chǔ)存技術(shù)而設(shè)計(jì),不同于SAS/SATA固態(tài)盤(pán)。該標(biāo)準(zhǔn)通過(guò)優(yōu)化軟硬件,能夠充分利用NVM固態(tài)盤(pán)技術(shù)的優(yōu)勢(shì),全面消除了SAS/SATA固態(tài)盤(pán)的性能限制。
全面的解決方案
英特爾當(dāng)前正努力推動(dòng)業(yè)界向NVMe*固態(tài)盤(pán)進(jìn)行遷移。為實(shí)現(xiàn)此目標(biāo),公司推出廣泛的產(chǎn)品線,支持廣泛的系統(tǒng)兼容性,提供英特爾驅(qū)動(dòng)程序和支持行業(yè)驅(qū)動(dòng)程序開(kāi)發(fā),以及完成眾多行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)合規(guī)認(rèn)證等。
久經(jīng)考驗(yàn)的卓越品質(zhì)與可靠性
基于PCle*的英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)家族設(shè)備包含有英特爾開(kāi)發(fā)的控制器、固態(tài)和采用領(lǐng)先制造工藝打造而成的NAND閃存。嚴(yán)格的質(zhì)量檢測(cè)和兼容性測(cè)試確保固態(tài)盤(pán)具備高度可靠的性能。通過(guò)組合使用固態(tài)盤(pán)NAND管理技術(shù)與NAND芯片增強(qiáng),高耐用性技術(shù)可支持?jǐn)?shù)據(jù)中心P3700系列在5年的硬盤(pán)使用壽命期間,實(shí)現(xiàn)每日10次全盤(pán)寫(xiě)入。英特爾數(shù)據(jù)中心級(jí)固態(tài)盤(pán)工具提供了一系列強(qiáng)大的管理功能,可在以下地址獲得:www.intel.com/design/flash/nand/managessd.htm