英特爾在2021年7月的“英特爾加速創(chuàng)新：制程工藝和封裝技術(shù)線上發(fā)布會(huì)”上，展示了一系列底層技術(shù)創(chuàng)新，這些技術(shù)將驅(qū)動(dòng)英特爾到2025年乃至更遠(yuǎn)未來(lái)的新產(chǎn)品開發(fā)。其中包括了PowerVia技術(shù)，這是英特爾獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)（PDN），通過(guò)消除晶圓正面供電布線需求來(lái)優(yōu)化信號(hào)傳輸，原計(jì)劃在Intel 20A制程節(jié)點(diǎn)引入。

據(jù)TomsHardware報(bào)道，2023年VLSI技術(shù)和電路研討會(huì)將于2023年6月11至16日在日本京都舉行，英特爾將在這次活動(dòng)上披露PowerVia技術(shù)的研究成果，展示一款特別定制的芯片。其采用了背面供電，配備了未命名的能效核，以Intel 4工藝制造，以便向那些有興趣使用英特爾代工服務(wù)（IFS）的潛在客戶展示新技術(shù)的有點(diǎn)。作為實(shí)驗(yàn)性的芯片，應(yīng)該不會(huì)量產(chǎn)使用的。

據(jù)了解，這顆特殊的芯片基于的能效核可能是新的架構(gòu)，推測(cè)為Crestmont架構(gòu)，利用PowerVia技術(shù)讓核心大部分區(qū)域?qū)崿F(xiàn)了超過(guò)90%的標(biāo)準(zhǔn)單元利用率，頻率也提高了5%以上。盡管不能評(píng)估其實(shí)際工作負(fù)載中的表現(xiàn)，但英特爾稱測(cè)試芯片達(dá)到了預(yù)期效果，有著更高功率密度，似乎說(shuō)明了新技術(shù)的應(yīng)用非常有效。

背面供電設(shè)計(jì)助于解決后端線路（BEOL）中電阻增加等問(wèn)題，這可以提高晶體管的性能并降低功耗，同時(shí)也消除了數(shù)據(jù)和電源連接之間的潛在干擾，另外還可以減少面積，可能會(huì)讓晶體管密度更高。除了英特爾以外，三星也計(jì)劃使用一種稱為“BSPDN”的技術(shù)，用于2nm芯片上。